光學平臺產(chǎn)品及廠家
opticool超精準全開放強磁場低溫光學研究平臺，系統(tǒng)擁有3.8英寸超大樣品腔、雙錐型劈裂磁體，可在超大空間為您提供高達±7t的磁場。多達7個側面窗口、1個頂部超大窗口方便光線由各個方向引入樣品腔，高度集成式的設計讓您的樣品在擁有低溫磁場的同時擺脫大型低溫系統(tǒng)的各種束縛。
更新時間:2025-08-01
attoafm/attomfm/attoshpm 低溫強磁場原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡，采用模塊化的設計。利用標配的控制器和樣品掃描臺，用戶僅需要更換掃描頭和對應的光學部件即可實現(xiàn)不同功能之間的切換。
更新時間:2025-08-01
德國sentech光伏測量儀mdpmap，靈活的自動掃描系統(tǒng)，是專為半導體晶片或部分工藝過的晶片的多功能、非接觸和少子壽命測量而設計的。mdpmap能夠連續(xù)地改變激發(fā)脈沖寬度，從非常短的脈沖(100ns)到穩(wěn)態(tài)測量(幾ms)，研究不同深度的缺陷動力學和少子壽命特性。直觀的繪圖軟件適用于有效的常規(guī)測量以及復雜的研發(fā)應用。
更新時間:2025-08-01
100s接觸角測量儀是采用光學成像的原理，通過圖像輪廓分析方式測量樣品表面接觸角、潤濕性能、表界面張力、表面能等性能，設備性價比高、功能全面、可滿足各種常規(guī)測量需要。
更新時間:2025-08-01
德國kruss標準型dsa25接觸角測量儀，接觸角測量范圍：0-180，接觸角測量精度：±0.10，表界面張力測量范圍：0-1000mn/m；測量精度：0.01 mn/m
更新時間:2025-08-01
ure-2000 系列紫外單面光刻機此系列包含六種型號：ure-2000a,ure-2000b,ure-2000/35,ure-2000/35a,ure-2000/25,ure-2000/17
更新時間:2025-08-01
芬蘭picosun™ r-200高級型 ald，襯底尺寸和類型 ： 。50-200 mm /單片 。156 mm x 156 mm太陽能硅片 。3d復雜表面襯底 。粉末與顆粒 。roll-to-roll , 襯底最大寬 70 mm 。多孔，通孔，高深寬比（har）樣品
更新時間:2025-08-01
picosun™ r-200標準型原子層沉積機，picosun™ r系列設備提供高質量ald薄膜的沉積技術，并在各種各樣的襯底上都表現(xiàn)極佳的均勻性，包括最具挑戰(zhàn)性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。 我們?yōu)橐后w、氣體和固體化學物提供的更高級的，易更換的前驅源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3d樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度最小的薄膜層。
更新時間:2025-08-01
plasmapro 80 rie 牛津等離子體刻蝕機,是一種結構緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開式設計可實現(xiàn)快速晶圓裝卸，是研究和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過優(yōu)化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實現(xiàn)高質量的工藝。
更新時間:2025-08-01
plasmapro 80 rie 牛津等離子體刻蝕機,是一種結構緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開式設計可實現(xiàn)快速晶圓裝卸，是研究和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過優(yōu)化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實現(xiàn)高質量的工藝。
更新時間:2025-08-01
plasmapro 80 icpcvd 牛津icp等離子沉積機，是一種結構緊湊且使用方便的小型直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝性能。直開式設計可實現(xiàn)快速晶圓裝卸，是科學研究、原型設計和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過優(yōu)化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實現(xiàn)高性能工藝。
更新時間:2025-08-01
牛津oxford system 100 等離子刻蝕與沉積設備,該設備是一個靈活和功能強大的等離子體刻蝕和淀積工藝設備,具有工藝靈活性，適用于化合物半導體，光電子學，光子學，微機電系統(tǒng)和微流體技術.
更新時間:2025-08-01
plasmapro 80 icp 英國牛津oxford 等離子體刻蝕機,是一種結構緊湊、小型且使用方便的直開式系統(tǒng)，可提供多種刻蝕解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝質量。直開式設計允許快速的進行晶圓裝卸，是科學研究、原型設計和少量生產(chǎn)的理想選擇。 該設備通過優(yōu)化了的電冷卻技術和出色的襯底溫度控制來實現(xiàn)高度穩(wěn)定的工藝結果。
更新時間:2025-08-01
牛津opal開放式樣品載入ald設備，緊湊型開放式樣品載入原子層沉積（ald）系統(tǒng)，opal提供了業(yè)的熱ald設備，可以簡單明了的升使用等離子體，使得在同一緊湊設備中集成了等離子體和熱ald。
更新時間:2025-08-01
已獲得利的高速襯底架（高達1000rpm）設計，并配備了白光光學監(jiān)視器（wlom）——更為準確的實時光學薄膜控制
更新時間:2025-08-01
plasmapro 100 estrelas牛津深硅刻蝕系統(tǒng)，旨在提供深硅蝕刻（dsie）域的全方位的靈活性以滿足微電子機械系統(tǒng)（mems）、 先進封裝以及納米技術市場的各種工藝要求。考慮到研究和生產(chǎn)的市場發(fā)展，plasmapro 100 estrelas 提供了更加出色的工藝靈活性。
更新時間:2025-08-01
plasmapro 100 ale 牛津原子層刻蝕機，市場應用廣，包括但不限于： mems和傳感器、光電子、分立元器件和納米技術。它具有足夠的靈活性，可用于研究和開發(fā)，通過打造質量滿足生產(chǎn)需求。
更新時間:2025-08-01
英國hhv auto500 gb 適合手套箱集成的真空鍍膜系統(tǒng)，是門設計用于手套箱集成使用的鍍膜設備，滿足氧氣或水汽敏感的材料鍍膜的應用要求。該系統(tǒng)配了一個特殊結構的真空腔室，可直接與市場上大多數(shù)手套箱集成到一起。真空腔室的門可豎直滑動開關，嵌入手套箱內，并占用很少的手套箱空間；其后門是鉸鏈扇式開關，能在不影響手套箱內氣氛的情況下輕松維護腔室內工藝組件。
更新時間:2025-08-01
英國hhv auto 306 科研工作者和電子顯微學家的多功能鍍膜設備，是一種多功能的緊湊型鍍膜設備，設計用于滿足科研工作者和電子顯微學家的需求。auto306可配備各種真空系統(tǒng)、真空腔室和標準化工藝附件，提供一系列實驗技術以滿足現(xiàn)代化實驗室的需要。
更新時間:2025-08-01
tf500/tf600 適合先進研發(fā)和試生產(chǎn)的全功能系統(tǒng)，系統(tǒng)配置可選擇多種腔室尺寸和工藝附件，以精確的符合用戶需求。這兩個型號的系統(tǒng)都可以安裝多個鍍膜源，也都支持離子束處理選項。有一系列預進樣室（load lock）和樣品操縱裝置可供選擇，以提高真空鍍膜效率。
更新時間:2025-08-01
ion 100wb-40q 德國 pva tepla 等離子去膠機，最新推出的具有高性價比的真空等離子去膠設備，配備了一個圓筒石英腔，特別適用于半導體、led、mems等領域的光刻膠灰化、打殘膠、氮化物刻蝕、表面清潔等應用的批次處理。
更新時間:2025-08-01
208hr高分辨離子濺射儀-適用于場發(fā)射掃描電鏡，可選擇多種鍍膜材料，精確的膜厚控制，樣品臺控制靈活，多個樣品座，樣品室?guī)缀慰勺儯瑢挿秶牟僮鲏毫，緊湊、現(xiàn)代的桌上型設計，操作容易。
更新時間:2025-08-01
ksi v-quattro四探頭超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)，四探頭系統(tǒng)，同時使用4只換能器
更新時間:2025-08-01
ksi v-octo 八探頭大型超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)，該系統(tǒng)同時使用8只換能器，能最大限度的確？焖賵D像采集和高效能。
更新時間:2025-08-01
ksi v400e 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡，是實驗室、研發(fā)和工業(yè)生產(chǎn)線主流機型。
更新時間:2025-08-01
nanoarch p130是科研3d打印系統(tǒng)，擁有2μm的超高打印精度和5μm的超低打印層厚，從而實現(xiàn)超高精度的樣件制作，非常適合高校和研究機構用于科學研究及應用創(chuàng)新。
更新時間:2025-08-01
the oai solar energy meter measures solar simulator irradiance in "sun" units, for example, with one sun equaling 1000 w/m2 at 25 °c at airmass 1.5 global conditions.
更新時間:2025-08-01
30型uv光源是高效的，可用于各種應用。光由橢圓形反射器收集并聚焦在積分/聚光透鏡陣列上，以在曝光平面產(chǎn)生均勻的照明。這種紫外光源提供多種光束尺寸，最大24英寸平方，輸出光譜范圍從220 nm到450 nm，使用適當?shù)臒簦òǎ。輸出功率范圍?00瓦到5千瓦。所有oai uv光源都易于配備快速更換過濾器組件，使用戶能夠輕松定制輸出光譜？蛇x配遠程排氣風扇。
更新時間:2025-08-01
oai 200型光刻機是一種具有成本效益的高性能掩模對準器，采用經(jīng)過行業(yè)驗證的組件，使oai成為光刻設備行業(yè)的導者。 200型是臺式面罩對準器，需要小的潔凈室空間。它為研發(fā)，或有限規(guī)模，試點生產(chǎn)提供了經(jīng)濟的替代方案。利用創(chuàng)新的空氣軸承/真空吸盤調平系統(tǒng)，襯底快速平穩(wěn)地平整，用于平行光掩模對準和在接觸曝光期間在晶片上的均勻接觸。該系統(tǒng)能夠實現(xiàn)一微米分辨率和對準精度。
更新時間:2025-08-01
2012sm型自動邊緣曝光系統(tǒng)為使用標準陰影掩模技術的邊緣珠去除提供了一種經(jīng)濟高效的方法。 設計用于容納8“到300mm的晶片，該工具具有自動foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實現(xiàn)，從而增加該生產(chǎn)工具的通用性和高產(chǎn)量。
更新時間:2025-08-01
2012sm型自動邊緣曝光系統(tǒng)為使用標準陰影掩模技術的邊緣珠去除提供了一種經(jīng)濟高效的方法。 設計用于容納8“到300mm的晶片，該工具具有自動foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實現(xiàn)，從而增加該生產(chǎn)工具的通用性和高產(chǎn)量。
更新時間:2025-08-01
兩種型號的2000型曝光系統(tǒng)包括uv光源，強度控制電源和機器人襯底處理子系統(tǒng)。 uv光源提供發(fā)散半角<2.0％的可調強度光束。電源從200w到2,000w。強度控制器傳感器直接連接到光源，用于精確的強度監(jiān)控。機器人襯底處理系統(tǒng)是微處理器控制的，并且可以被編程以適應各種各樣的襯底尺寸。
更新時間:2025-08-01
oai 5000e型大面積掩光刻機是一種先進的高性能，全自動掩模對準器和曝光工具，可為大型平板應用提供超精密，頂，亞微米對準和分辨率。 其靈活的設計允許在各種基材（圓形或方形）上印刷高達300mm或20“×20”。 曝光系統(tǒng)兼容近，中，或深紫外范圍的光刻膠，并具有計算機控制的led顯微鏡照明，在不太理想的觀察環(huán)境中觀察。
更新時間:2025-08-01
phabler 100 紫外光刻機是一套低成本的光學曝光系統(tǒng)，但卻能獲得高分辨率的周期性結構。同傳統(tǒng)的紫外曝光機類似，涂覆了光刻膠的晶片以接近方式放置在掩膜版下面，被紫外光束照射。由于eulitha公司擁有突破性的phable 曝光技術，在"phable"模式下，分辨率不再受到衍射的限制，從而曝光出亞微米的線性光柵和二維光柵（六角形和正方形），且曝光結果非常均勻，質量很好。
更新時間:2025-08-01
raith 150 two可實現(xiàn)亞5nm的曝光結構，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設備對實驗室環(huán)境的容忍度，即使在相對糟糕的實驗室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運行。
更新時間:2025-08-01
raith 150 two可實現(xiàn)亞5nm的曝光結構，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設備對實驗室環(huán)境的容忍度，即使在相對糟糕的實驗室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運行。
更新時間:2025-08-01
德國raith voyager 新一代超高分辨率電子束光刻機,系統(tǒng)可實現(xiàn)8英寸樣品的高速曝光。系統(tǒng)的穩(wěn)定性是非常關鍵的指標，可保證大面積均勻曝光。該系統(tǒng)外部采用環(huán)境屏蔽罩，即使在稍差的實驗室環(huán)境下，仍然能確保系統(tǒng)具有非常好的熱穩(wěn)定性，提高系統(tǒng)對外界環(huán)境的容忍度。
更新時間:2025-08-01
ebpg5150使用了155mm大小的樣品臺，采用跟ebpg5200一樣的通用光刻平臺設計，對電子束直寫應用進行了優(yōu)化。它可以載入不同大小的樣品,包括多片散片以及完整的硅片。
更新時間:2025-08-01
系統(tǒng)中集成了高精度的激光干涉工作臺，運動行程為50 x 50 x 25mm，xy方向定位精度為2nm，可以實現(xiàn)精確的拼接套刻，拼接套刻精度≤50nm。
更新時間:2025-08-01
瑞典 mycronic 掩膜版光刻機 fps6100，用于制作高精度掩膜版，廣泛用于半導體，tft-lcd，微電子等行業(yè)。
更新時間:2025-08-01
英國nanobean nb5 電子束光刻機,具有良好的穩(wěn)定性，平均正常運行時間超過93%.
更新時間:2025-08-01
minilock-phantom iii 具有預真空室的反應離子刻蝕機。適用于單個基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸)，為實驗室和試制線生產(chǎn)環(huán)境提供最先進的刻蝕能力。它也具有多尺寸批量處理(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系統(tǒng)有多達七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。
更新時間:2025-08-01
oracle iii由中央真空傳輸系統(tǒng)(cvt)、真空盒升降機和最多四個工藝反應室構成。這些工藝反應室與中央負載鎖對接，既能夠以生產(chǎn)模式運行，也能夠作為單個系統(tǒng)獨立作業(yè)。 oracle iii是市場上最靈活的系統(tǒng)，既可以為實驗室環(huán)境進行配置(使用單基片裝卸)，也可以為批量生產(chǎn)進行配置(使用真空盒升降機進行基片傳送)。
更新時間:2025-08-01
最新產(chǎn)品
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