其它產(chǎn)品及廠家
電輸運(yùn)性質(zhì)測(cè)量系統(tǒng)霍爾效應(yīng) 電阻測(cè)量?jī)x器使用插入式樣品卡，樣品安裝方便，同時(shí)提供四探針卡，免去制作電的麻煩。
更新時(shí)間:2025-08-16
三維亥姆霍茲線圈磁場(chǎng)梯度線圈helmholtz錦正茂科技有限公司擁有自己的磁場(chǎng)開發(fā)團(tuán)隊(duì)，可為您提供一維，二維和三維的亥姆霍茲線圈。
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高阻霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)由電磁鐵、真空泵、高溫真空腔、高斯計(jì)、恒流源、電磁鐵電流源、控溫儀和計(jì)算機(jī)及軟件組成。
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當(dāng)設(shè)定點(diǎn)速率激活的時(shí)候，儀器會(huì)開始從當(dāng)磁場(chǎng)讀數(shù)加速而不是當(dāng)設(shè)定點(diǎn)，基于對(duì)p和i的設(shè)定。
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可測(cè)量磁性材料，得到相應(yīng)的各種磁學(xué)參數(shù)。
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8030應(yīng)用范圍從＊基本的磁場(chǎng)測(cè)試到滿足＊敏感的三維矢量磁場(chǎng)測(cè)試。
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亥姆霍茲線圈物質(zhì)磁性或檢測(cè)實(shí)驗(yàn)電磁儀器錦正茂科技有限公司擁有自己的磁場(chǎng)開發(fā)團(tuán)隊(duì)，在亥姆霍茲線圈的設(shè)計(jì)方面具有豐富的經(jīng)驗(yàn)，可為您提供一維，二維和三維的亥姆霍茲線圈。
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＊ 測(cè)量電壓：0.1uv~30v＊ 提供各類測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)材料，各別硅與砷化鎵（靈敏度與精度不同）
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電磁鐵為雙調(diào)單軛型結(jié)構(gòu)，直立座放，磁場(chǎng)在水平方向
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磁性材料電磁輸運(yùn)測(cè)試系統(tǒng)霍爾效應(yīng)電阻測(cè)量測(cè)量和計(jì)算過(guò)程由軟件自動(dòng)執(zhí)行，3分鐘即可得到一個(gè)霍爾效應(yīng)數(shù)據(jù)；提供長(zhǎng)時(shí)間＊穩(wěn)＊性的磁場(chǎng)，24小時(shí)穩(wěn)定性<±0.5g，并且磁場(chǎng)能夠平滑過(guò)零
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磁場(chǎng)強(qiáng)度測(cè)試儀磁性材料磁性能測(cè)試設(shè)備相對(duì)精度(量程30emu時(shí))：優(yōu)于±1％磁場(chǎng)強(qiáng)度：0—±3.8t之間
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測(cè)量的多種曲線和特性參數(shù)即可在微機(jī)屏幕上顯示，軟件可對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行任意選取，局部放大，平移，可對(duì)曲線進(jìn)行平滑處理，也可在激光打印機(jī)上輸出打；還可由其它通用繪圖軟件上進(jìn)行處理。
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適用于各研究所，高等院校及企業(yè)做物質(zhì)磁性或檢測(cè)實(shí)驗(yàn)，應(yīng)用于材料、電子、生物、醫(yī)療、航空航天等域
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手動(dòng)左右和上下位移樣品，可測(cè)試樣品表面不同點(diǎn)的克爾效應(yīng)
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錦正茂實(shí)驗(yàn)室電磁鐵em系列電磁場(chǎng)設(shè)備小氣隙時(shí)用于鐵氧體產(chǎn)品的充磁和磁性產(chǎn)品的磁化處理。
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可測(cè)試材料:??半導(dǎo)體材料：sige, sic, inas, ingaas, inp, algaas, hgcdte 和鐵氧體材料等；? 低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、tmr 材料等；?高阻抗材料：半絕緣的 gaas, gan, cdte 等。
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實(shí)驗(yàn)室異型電磁鐵各種形狀滿足不同實(shí)驗(yàn)需求鉗式電磁鐵適合顯微鏡下、探針臺(tái)、空間受局限、磁光實(shí)驗(yàn)、磁礦粉篩選等特殊使用環(huán)境。
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實(shí)驗(yàn)用磁性材料測(cè)量設(shè)備磁場(chǎng)強(qiáng)度測(cè)試儀 可測(cè)量粉末、顆粒、片狀、塊狀等磁性材料。
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亥姆霍茲線圈 物質(zhì)磁性檢測(cè)實(shí)驗(yàn)儀器設(shè)備磁場(chǎng)方向x軸、z軸相互正交，x軸水平磁場(chǎng)可旋轉(zhuǎn)，x軸zui高磁場(chǎng)強(qiáng)度240gs，z軸zui高磁場(chǎng)240gs。
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cs制冷機(jī)無(wú)氧銅導(dǎo)熱帶定制型超柔性銅辮cs™制冷機(jī)銅導(dǎo)熱帶：門冷頭/界面設(shè)計(jì)。
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定制實(shí)驗(yàn)室磁場(chǎng)控制平臺(tái)磁測(cè)量系統(tǒng)廣泛用于磁光測(cè)量系統(tǒng)、vsm測(cè)量系統(tǒng)、在線退火、霍爾效應(yīng)、磁化率測(cè)量、自旋磁共振、b-h曲線測(cè)量和＊準(zhǔn)的傳感器校準(zhǔn)等域。
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霍爾效應(yīng)測(cè)試儀高低溫磁場(chǎng)型物性測(cè)量系統(tǒng)為本儀器系統(tǒng)門研制的jh10 效應(yīng)儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測(cè)量復(fù)雜的切換繼電器——開關(guān)組裝成一體，大大減化了實(shí)驗(yàn)的連線與操作。
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選項(xiàng)附件：1·材料在不同溫度下的電輸運(yùn)性質(zhì)正在被廣泛研究。錦正茂提供四種溫度環(huán)境。2·液氮盒：樣品可以直接泡在液氮里（77k）進(jìn)行電輸運(yùn)測(cè)試。3·液氮恒溫器：如果需要詳細(xì)研究材料的變溫性質(zhì)（80k~500k），可以選擇液氮恒溫器。液氮恒溫器15分鐘即可降至80k，結(jié)構(gòu)輕巧，使用方便，同時(shí)有高溫型可選擇。
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ems系列雙軛可變氣隙實(shí)驗(yàn)電磁鐵垂直磁場(chǎng)應(yīng)用于霍爾效應(yīng)研究，磁電阻效應(yīng)研究、磁滯伸縮研究、轉(zhuǎn)矩磁強(qiáng)計(jì)、力法磁強(qiáng)計(jì)、磁化率測(cè)量裝置、磁性材料測(cè)量裝置以及對(duì)磁性器件的充磁和退磁等。
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霍爾效應(yīng)測(cè)試儀半導(dǎo)體材料測(cè)量實(shí)驗(yàn)儀器＊樣品電流：50na～50ma（＊小可調(diào)節(jié)電流為 0.1na）＊測(cè)量電壓：0.1uv～30v＊ 提供各類測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)材料，各別霍爾器件（靈敏度與精度不同）
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磁光克爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)磁強(qiáng)計(jì)樣品磁性測(cè)量廣泛應(yīng)用于諸如磁性納米技術(shù)、自旋電子學(xué)、磁性薄膜、磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器、gmr/tmr等磁學(xué)域。
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電輸運(yùn)性質(zhì)測(cè)量系統(tǒng)霍爾效應(yīng)磁阻測(cè)試系統(tǒng)使用插入式樣品卡，樣品安裝方便，同時(shí)提供四探針卡，免去制作電的麻煩
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磁場(chǎng)強(qiáng)度測(cè)試儀測(cè)量磁性材料磁性測(cè)量系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo)：相對(duì)精度(量程30emu時(shí))：優(yōu)于±1％；重復(fù)性(量程30emu時(shí))：優(yōu)于±1％；溫度范圍：室溫到500攝氏度以及室溫到液氮溫區(qū)
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異型電磁鐵大學(xué)實(shí)驗(yàn)室磁場(chǎng)發(fā)生器各種形狀我公司可根據(jù)用戶要求設(shè)計(jì)制作各種異形、特殊用途的電磁鐵？筛鶕(jù)不同的使用方式、不同的實(shí)驗(yàn)要求、不同的工作環(huán)境、和與不同設(shè)備的配套裝配進(jìn)行設(shè)計(jì)制作。
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應(yīng)用于材料、電子、生物、醫(yī)療、航空航天等域。
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定制磁場(chǎng)控制平臺(tái)磁測(cè)量系統(tǒng)磁場(chǎng)強(qiáng)度自定義磁場(chǎng)控制平臺(tái)包括錦正茂公司的電磁鐵、雙電源、具有控制能力的dsp技術(shù)的高斯計(jì)、霍爾探頭及支架等。
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三維亥姆霍茲線圈磁場(chǎng)實(shí)驗(yàn)梯度線圈錦正茂科技有限公司擁有自己的磁場(chǎng)開發(fā)團(tuán)隊(duì)，在亥姆霍茲線圈的設(shè)計(jì)方面具有豐富的經(jīng)驗(yàn)。
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材料磁性能磁場(chǎng)強(qiáng)度測(cè)試儀實(shí)驗(yàn)室測(cè)量?jī)x器磁場(chǎng)強(qiáng)度：0—±3.8t之間重復(fù)性(量程30emu時(shí))：優(yōu)于±1％穩(wěn)定性(量程30emu時(shí))：連續(xù)4小時(shí)工作優(yōu)于1％
更新時(shí)間:2025-08-16
實(shí)驗(yàn)室雙軛電磁鐵氣隙單向可調(diào)垂直磁場(chǎng)廣泛應(yīng)用于霍爾效應(yīng)研究，磁電阻效應(yīng)研究、磁滯伸縮研究、轉(zhuǎn)矩磁強(qiáng)計(jì)、力法磁強(qiáng)計(jì)、磁化率測(cè)量裝置、磁性材料測(cè)量裝置以及對(duì)磁性器件的充磁和退磁等。
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電輸運(yùn)性質(zhì)測(cè)量系統(tǒng)磁阻電阻測(cè)量?jī)x器可以進(jìn)行霍爾效應(yīng)、r-h特性、r-t特性和i-v特性的測(cè)量
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可原位測(cè)量磁性材料從液氮溫區(qū)至室溫或室溫至500℃溫區(qū)的磁性能隨溫度的變化曲線。
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地球磁場(chǎng)的抵消、判定磁屏蔽效應(yīng)、電子設(shè)備的磁化系數(shù)、磁通門計(jì)和航海設(shè)備的校準(zhǔn)、生物磁場(chǎng)的研究及與磁通計(jì)配合使用檢測(cè)永磁體特性。適用于各研究所，＊等院校及企業(yè)做物質(zhì)磁性或檢測(cè)實(shí)驗(yàn)，應(yīng)用于材料、電子、生物、醫(yī)療、航空航天等域。
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定制大學(xué)實(shí)驗(yàn)室磁場(chǎng)線圈三維圓形方形亥姆霍茲線圈 所產(chǎn)生的磁場(chǎng)的范圍可以從幾百nt到上千高斯，磁場(chǎng)的均勻度在均勻區(qū)內(nèi)可以高達(dá)到萬(wàn)分之一。
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其主要用途有：地球磁場(chǎng)的抵消、判定磁屏蔽效應(yīng)、電子設(shè)備的磁化系數(shù)、磁通門計(jì)和航海設(shè)備的校準(zhǔn)、生物磁場(chǎng)的研究及與磁通計(jì)配合使用檢測(cè)永磁體特性。
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vsm振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)磁性材料磁性能測(cè)試儀器設(shè)備可原位測(cè)量磁性材料從液氮溫區(qū)至室溫或室溫至500℃溫區(qū)的磁性能隨溫度的變化曲線。
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實(shí)驗(yàn)室一維圓形亥姆霍茲線圈用戶可以利用這個(gè)磁場(chǎng)來(lái)完成各種實(shí)驗(yàn)，亥姆霍茲線圈可根據(jù)不同的應(yīng)用產(chǎn)生靜態(tài)dc或ac磁場(chǎng)。
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材料實(shí)驗(yàn)室電磁鐵型霍爾效應(yīng)測(cè)試儀為本儀器系統(tǒng)門研制的jh10 效應(yīng)儀將恒流源，六位半微伏表及霍耳測(cè)量復(fù)雜的切矩陣開關(guān)組裝成一體，大大減化了實(shí)驗(yàn)的連線與操作。
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可以進(jìn)行霍爾效應(yīng)、r-h特性、r-t特性和i-v特性的測(cè)量，可得出參數(shù)：方塊電阻、電阻率、霍爾系數(shù)、霍爾遷移率、載流子濃度和導(dǎo)電類型，可繪制以上參數(shù)隨溫度或磁場(chǎng)的變化曲線，以及i-v特性——不同磁場(chǎng)和不同溫度下的i-v特性曲線，r-h特性——固定溫度，電阻隨著磁場(chǎng)變化的特性曲線，r-t特性——固定磁場(chǎng)，電阻隨著溫度變化的特性曲線。
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磁光克爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于諸如磁性納米技術(shù)、自旋電子學(xué)、磁性薄膜、磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器、gmr/tmr等磁學(xué)域。
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fcp磁場(chǎng)控制平臺(tái)是根據(jù)磁控原理設(shè)計(jì)的理想磁測(cè)量系統(tǒng)，磁場(chǎng)范圍超過(guò)3t，利用testik475高斯計(jì)穩(wěn)定磁場(chǎng)控制，適合各系列電磁鐵配置，連續(xù)可變的電磁氣隙，實(shí)心的和光學(xué)入口帽，線型雙，真實(shí)四象限電磁鐵電源。
更新時(shí)間:2025-08-16
錦正茂磁場(chǎng)強(qiáng)度測(cè)試儀可測(cè)量磁性材料的基本磁性能(如磁化曲線，磁滯回線，退磁曲線，升溫曲線、升/降溫曲線、降溫曲線、溫度隨時(shí)間的變化等)，得到相應(yīng)的各種磁學(xué)參數(shù)(如飽和磁化強(qiáng)度，剩余磁化強(qiáng)度，矯頑力，磁能積，居里溫度，磁導(dǎo)率(包括初始磁導(dǎo)率)等，可測(cè)量粉末、顆粒、片狀、塊狀等磁性材料。
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em系列磁場(chǎng)實(shí)驗(yàn)室小型u型可調(diào)氣隙電磁鐵主要用于磁滯現(xiàn)象研究、磁化系數(shù)測(cè)量、霍爾效應(yīng)研究、磁光實(shí)驗(yàn)、磁場(chǎng)退火、核磁共振、電子順磁共振、生物學(xué)研究、磁性測(cè)量、磁性材料取向、磁性產(chǎn)品磁化等研究。
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驗(yàn)室矢量多電磁鐵小型磁場(chǎng)發(fā)生器磁場(chǎng)實(shí)體積小、重量輕、占空比小、結(jié)構(gòu)緊湊、磁場(chǎng)性能更佳。
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fcp磁場(chǎng)控制平臺(tái)磁測(cè)量系統(tǒng)開環(huán)磁場(chǎng)控制也可能用手動(dòng)輸出來(lái)使用475模擬輸出
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電輸運(yùn)性質(zhì)測(cè)量系統(tǒng)材料電輸運(yùn)性質(zhì)研究可以進(jìn)行霍爾效應(yīng)、r-h特性、r-t特性和i-v特性的測(cè)量，可得出參數(shù)：方塊電阻、電阻率、霍爾系數(shù)、霍爾遷移率、載流子濃度和導(dǎo)電類型，
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