此型號霍爾開關(guān)廣泛用于學(xué)生用跳繩,體育器材等計數(shù)用儀器上
PVD物理氣相沉積鍍膜
顯然,單晶硅材料是目前為止最重要的半導(dǎo)體材料,沒有之一。一方面作為IC芯片引領(lǐng)智能計算機/手機等等和自動化控制領(lǐng)域,另一方面又可作為功能材料,為工業(yè)界/實驗室/科研單位等提供良好的單晶/外延載體,為人類的科研北京堯電科技創(chuàng)新事業(yè)再續(xù)力量。
本司提供:2英寸,4英寸,6英寸,8英寸,12英寸單拋,雙拋硅片。并可加工成方片,及其他規(guī)格小片,大片。支持混批,支持私人定制。
材質(zhì):高純硅Si單晶基片 ;
導(dǎo)電類型:N/P型可選,電阻率:0.0001-100歐,
生長方式: 直拉
晶 向: [111]/[100]/[110];
平 整 度: <1微米(衡量整體翹曲程度)
表面粗糙度:5埃左右(衡量表面微觀形貌);
用 途: 1、PVD/CVD鍍膜做襯底;
2、用作XRD(X射線衍射分析)、SEM(掃描電鏡)、AFM(原子力顯微鏡)、FTIR紅外、
熒光光譜等分析測試北京堯電科技基底;
3、同步輻射實驗樣品載體;
4、分子束外延生長的基底;
5、半導(dǎo)體光刻工藝等等
單晶硅-Si基片-IC級芯片-科研試驗作為外延芯片或鍍膜基片
LASF N9 光學(xué)玻璃片
以下來自百度百科 僅供參考 謝謝!
· 利用硅單晶所生產(chǎn)的太陽能電池可以直接把太陽能轉(zhuǎn)化為光能,實現(xiàn)了邁向綠色能源革命的開始,F(xiàn)在,國外的太陽能光伏電站已經(jīng)到了理論成熟階段,正在向?qū)嶋H應(yīng)用階段過渡,太陽能硅單晶的利用將是普及到全世界范圍,市場需求量不言而喻。北京2008年奧運會將把“綠色奧運”做為重要展示面向全世界展現(xiàn),單晶硅的利用在其中將是非常重要的一環(huán)。
· 先是石頭,(石頭都含硅),把石頭加熱,變成液態(tài),在加熱變成氣態(tài),把氣體通過一個密封的大箱子,箱子里有N多的子晶加熱,兩頭用石墨夾住的,氣體通過這個箱子,子晶會把氣體中的一種吸符到子晶上,子晶慢慢就變粗了,因為是氣體變固體,所以很慢,一個月左右,箱子里有就很多長長的原生多晶硅,當然,還有很多的廢氣啊什么的,(四氯化硅)就是生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的吧,好像現(xiàn)在還不能很好處理這東西,廢話不多說,原生多晶有了,就開始酸洗,氫氟酸啊硝酸啊,乙酸啊什么的把原生多晶外面的東西洗干凈了,就過烘房烘干,無塵檢查打包,送到拉晶,拉晶就是用拉晶爐把多晶硅加熱融化,在用子晶向上拉引,工人先把多晶硅放進石英鍋里,(廠里為了減少成本,也會用一些洗好的電池片,碎硅片一起融)關(guān)上爐子加熱,石英鍋的融點是1700度,硅的融點才1410度左右,融化了硅以后石英鍋慢慢轉(zhuǎn)起來,子晶從上面下降,點到鍋的中心液面點,也慢慢反方向轉(zhuǎn),鍋下面同時在電加熱,液面上加冷,子晶點到液面上就會出現(xiàn)一個光點,慢慢旋轉(zhuǎn),向上拉引,放肩,轉(zhuǎn)肩,正常拉棒,收尾,一天半左右,一個單晶棒就出來了,當然還有很多是經(jīng)驗,我文筆不太好,說不清楚,比如放母合金,控制溫度什么的,單晶棒有了就切方,單晶棒一般是做6英寸的,P型,電阻率0。5-6歐姆(一英寸等于2。4厘米左右)切掉棒子四邊,做成有倒角的正方形,在切片,0。22毫米一片吧。
· 單晶硅已滲透到國民經(jīng)濟和國防科技中各個領(lǐng)域,當今全球超過2000億美元的電子通信半導(dǎo)體市場中95[%]以上的半導(dǎo)體器件及99[%]以上的集成電路用硅。
但我國硅單晶產(chǎn)量主要集中在技術(shù)含量偏低的太陽能用單晶硅上,IC用硅單晶尤其是8英寸以上硅晶片基本依賴進口,遠不能滿足國內(nèi)IC市場的需求。但在2007年5月24日,國家“863”計劃超大規(guī)模集成電路(IC)配套材料重大專項總體組在北京組織專家對西安理工大學(xué)和北京有色金屬研究總院承擔的“TDR-150型單晶爐(12英寸MCZ綜合系統(tǒng))”完成了驗收。這標志著擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的大尺寸集成電路與太陽能用硅單晶生長設(shè)備,在我國首次研制成功。這項產(chǎn)品初步改變了在晶體生長設(shè)備領(lǐng)域研發(fā)制造受制于人的局面。
未來中國國內(nèi)的太陽能應(yīng)用市場必然會成長起來,這可以從國家對新能源的政策傾斜看出來。過去太陽能電池的主要市場是德國,以后,美國、日本及中國將可能成為新興市場。太陽能電池廣闊的發(fā)展空間,將為單晶硅帶來巨大的需求。
北京堯電科技有限公司提供單晶硅片和單晶硅-Si基片-IC級芯片-科研試驗作為外延芯片或鍍膜基片
PVD物理氣相沉積鍍膜
非球面透鏡、球、半球透鏡,大功率LED玻璃封裝鏡片,正、超半球透鏡,棒鏡。擁有現(xiàn)代化生產(chǎn)設(shè)備80多臺套。材料可以是:普通光學(xué)玻璃、K9、石英、藍寶石、鍺以及很脆的軍工材料ZnS、ZnSe等。加工直徑范圍可以從1mm-40mm。擁有美國藍寶石圓球晶軸檢測和半球鏡檢測儀器確保品質(zhì)超群、供貨及時。
快充芯片CHY100一級代理商 新一代快速充電器快充IC和方案 CHY100 快充握手協(xié)議芯片CHY100 車載充電器 便攜式充電器快充方案CHY100 支持QC .0快速充電功能的移動電源CHY100快充芯片 優(yōu)質(zhì)蘋果快充芯片 快速充電器 新一代 快充IC 方案CHY100 快充芯片 車充快充方案CHY100 支持高通協(xié)議 移動電源快充充電芯片CHY100 QC2.0快充方案CHY100 USB快充IC,支持高通QC2.0快充協(xié)議CHY100
支持高通快充協(xié)議USB快充IC 車充和旅充QC2.0快充芯片方案CHY100
優(yōu)勢產(chǎn)品:1、保證原裝正品,過高通認證CHY1002、QC2.0快充芯片:CHY100
支持高通快充協(xié)議USB快充IC_商品介紹:
產(chǎn)品概述:
自適應(yīng)快速充電是一種最新的USB電池充電技術(shù),其充電速度比傳統(tǒng)充電器快75%。高通的Quick Charge 2.0協(xié)議處于這項技術(shù)的最前列。Quick Charge 2.0的工作原理是:在檢測到來自支持Quick Charge 2.0的設(shè)備(如手機和平板電腦)所發(fā)出的指令后,調(diào)整充電器的輸出電壓,使設(shè)備的電池獲得更大的功率輸入。
為滿足自適應(yīng)快速充電系統(tǒng)的需求,一款支持Quick Charge 2.0(QC 2.0)快速充電協(xié)議的充電接口控制器芯片CHY100,可自動識別充電設(shè)備類型,并通過充電協(xié)議與設(shè)備握手,使之獲得設(shè)備允許的安全最高充電電壓,在保護充電設(shè)備的前提下節(jié)省充電時間。
產(chǎn)品特性:
*; 完全支持 Quick Charge 2.0 規(guī)范
*; A類:5V、9V及12V輸出電壓
*; B類:5V、9V、12V及20V輸出電壓
*; 可選12V或20V輸出限制
*; 兼容USB充電規(guī)范1.2
*; 支持USB充電規(guī)范DCP模式
*; 默認5V模式工作
*; 待機功耗低
*; 5 V輸出電壓時低于1mW
*; 可靠的保護功能
*; 引腳間短路保護
*; 引腳開路保護及電路故障保護
*; 封裝形式:SOP8
應(yīng)用范圍:
*; 支持QC 2.0快速充電功能的移動電源
*; 便攜式充電器
*; 車載充電器等
我們的優(yōu)勢=品質(zhì)+成本+服務(wù)!
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深圳清馳專業(yè)研發(fā)全數(shù)字式大功率雙向DC/DC變換器,電動汽車雙向充電機,超級電容儲能穩(wěn)壓系統(tǒng),儲能雙向DCDC變流器,電池充放電雙向DCDC變換器,雙向DCDC測試電源,車載雙向DCDC轉(zhuǎn)換器,雙向直流變換器。
30KW雙向DCDC系列,效率高達95%以上
產(chǎn)品優(yōu)勢
■ 充電、放電自動控制,能量雙向傳輸
■ 純數(shù)字化電源,高頻PWM模式,技術(shù)領(lǐng)先
■ 電壓、電流雙反饋環(huán)路控制,輸出更精確、更穩(wěn)定
■ 工控用超大規(guī)模FPGA控制芯片,超強實時性與靈活性
■ 恒流、恒壓、恒功率和MPPT模式可在線自動切換,切換時間<1mS
■ 軟開關(guān)技術(shù),效率高達95%以上
■ 單模塊30KW,可多機并聯(lián)
■ 友好的人機界面,智能監(jiān)控功能
■ 帶RS485通信接口,可通過電腦遠程控制
■ 嚴格的系統(tǒng)熱設(shè)計,低溫升,長壽命
■ 具有欠壓、過壓、過流、短路和反接保護■ 高、低電壓側(cè)任何一側(cè)加電,均可使模塊啟動
產(chǎn)品應(yīng)用
■ 大功率雙向充放電系統(tǒng)
■ 微電網(wǎng)系統(tǒng)
■ 超級電容儲能穩(wěn)壓系統(tǒng)
■ 電池充放電測試系統(tǒng)
■ 燃料電池能量管理
■ 汽車、航天電源系統(tǒng)
■ 電動車、電動機再生發(fā)電
基本參數(shù)
在微流控芯片通道網(wǎng)絡(luò)中,流體主要做層流流動,因此當兩種或多種不同試劑流入同一通道時,各試劑能夠保持各自流型不變,而只在相與相接觸面上發(fā)生反應(yīng)或分子擴散現(xiàn)象,形成的濃度梯度具有較高的穩(wěn)定性和重現(xiàn)性,且通過改變通道網(wǎng)絡(luò)的構(gòu)型設(shè)計及初始液流的濃度和組合順序,可以獲得一系列復(fù)雜的濃度梯度,利用微流控濃度梯度芯片可以模擬外界環(huán)境,建立化學(xué)物質(zhì)濃度梯度,在細胞以及個體水平上研究生物體對外界環(huán)境變化的反應(yīng)。該技術(shù)已廣泛應(yīng)用于藥物篩選,模式生物趨化,毒性評價等研究領(lǐng)域。
隨著新藥開發(fā)技術(shù)的發(fā)展,對新藥化合物的活性實驗從早期的驗證性實驗已經(jīng)逐漸轉(zhuǎn)變成篩選性實驗,即所謂的藥物篩選。借助于組合化學(xué)和計算化學(xué)的發(fā)展,人們開始有能力在短時間內(nèi)合成和分離多種化合物,因而在現(xiàn)代新藥開發(fā)過程中藥物篩選已經(jīng)成為新藥開發(fā)過程中的重要環(huán)節(jié)之一。微流控濃度梯度芯片進行藥物篩選實驗時,與傳統(tǒng)多孔板技術(shù)相比,省去了配置和分配多種藥物不同濃度溶液的繁雜操作,大大簡化了細胞鋪板、上藥、洗滌、標記等操作過程,在顯著減少細胞和試劑耗量的同時,進行高通量地刪選。
模式生物趨化
模式生物能對液體和空氣中傳播的化學(xué)物質(zhì)產(chǎn)生反應(yīng),感受到微摩爾濃度范圍的水溶性引發(fā)劑和揮發(fā)性物質(zhì),從而產(chǎn)生趨向或回避行為。能否成功的提供可控的濃度梯度成為研究模式生物趨化行為的關(guān)鍵。微流控濃度梯度芯片能夠自由控制和創(chuàng)建化學(xué)物質(zhì)濃度梯度,形成濃度梯度時間短,提供的實驗條件重復(fù)性高等特點,成為研究模式生物趨化行為的有利工具。
微流控濃度梯度芯片能夠生成不同的化學(xué)因子濃度梯度作用于海洋微藻、斑馬魚等受試對象,通過受試對象在不同濃度化學(xué)因子刺激下,將其生化反應(yīng)作為反饋信號進行化學(xué)因子毒性評價。
我們提供的濃度梯度芯片基于層流擴散的原理,形成的濃度梯度具有較高的穩(wěn)定性和重現(xiàn)性,與傳統(tǒng)的“圣誕樹”型濃度梯度生成器生成的相對單一的濃度梯度不同,我們可以通過改變通道網(wǎng)絡(luò)設(shè)計,生成包括線性、指數(shù)等多種濃度梯度。圖1為線性八梯度芯片示意圖,其中Input(A)為樣本溶液入口,Input(B)為緩沖溶液入口,樣本溶液次第向下與緩沖溶液混合形成濃度梯度,出口處濃度見表1。芯片上集成濃度梯度生成器的同時,可以按照客戶需求集成多功能培養(yǎng)單元。在材料的選擇方面,可以提供PMMA、玻璃、PDMS等多種材質(zhì)供用戶選擇。
圖1.微流控線性八梯度芯片示意圖
表1.線性八梯度濃度梯度芯片出口處濃度
出口 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
濃度 | 0 | (1/7)C | (2/7)C | (3/7)C | (4/7)C | (5/7)C | (6/7)C | C |
注:C為樣本溶液濃度。
表征結(jié)果我們使用PMMA材質(zhì)的線性八梯度芯片進行熒光表征,圖2為通入流量均為1μL/min的FITC水溶液和去離子水在芯片出口處形成的熒光圖,使用Image-pro軟件進行熒光強度分析。從圖中可以看出,出口熒光強度保持良好的線性關(guān)系。
圖2.線性八梯度芯片熒光表征
使用說明1.Input(A)流量等于Input(B)流量;
2.樣本溶液與緩沖溶液為黏度相近的稀溶液;
3.注液時需先將通道中注滿緩沖溶液避免通道中產(chǎn)生氣泡;
4.入口流量小于2μL/min.
定制芯片客戶需提供參數(shù)1.出口流量;
2.出口濃度;
3.通道截面尺寸;
4.樣本溶液與緩沖溶液間擴散系數(shù).